TPS51116PWP
TI
TPS51116PWP 由 TI 生产,采用 TSSOP-20 封装,批号 10+,芯微百年深圳仓库现货 90,000 个。
现货
- 库存量
- 90,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 5 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | TPS51116PWP |
| 厂商 | TI |
| 所属类别 | DC-DC-控制器 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | TSSOP-20 |
| 生产批号 | 10+ |
| 库存量 | 90,000个 |
| 最低订购量 | 5 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
TPS51116PWP DDR1的,DDR2内存,DDR3的转换开关和LDO的
说明
该TPS51116提供了一个DDR/SSTL-2,DDR2/SSTL-18完整的电源和DDR3内存系统。 它集成了一个三号甲片同步降压控制器/源追踪线性稳压器和缓冲的低噪声基准。 该TPS51116提供整体解决方案的系统成本最低的地方空间非常珍贵。 该TPS51116同步控制器运行一个自适应固定开启时间控制,可在D - CAP的模式配置为易用性和速度最快的瞬态响应或电流模式,支持陶瓷输出电容器的400kHz的准固定频率的PWM。 3,接收器/源保持了快速瞬态响应LDO的只需要20μF的(2 × 10μF的)的陶瓷输出电容。 此外,LDO的电源输入,可大大减少外部的总功率损耗。
特性
- 同步降压控制器(提供VDDQ)
- 宽输入电压范围:3.0 V至28 - V的
- ð -第100™模式- ns的负载阶跃响应
- 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
- 支持软关断的S4/S5国
- 从电流检测的 R DS(on)或电阻
- 2.5 - V的(复员),1.8 - V的(DDR2内存),可调至1.5 - V的(DDR3内存)或输出范围0.75 - V至3.0 - V的
- 配备电源良好,过压保护和欠压保护
- 的3 - A的LDO(VTT)的,缓冲基准电压(VREF)
- 有能力接收器和一个资料三
- LDO的输入可优化功率损耗
- 只需要20μF的陶瓷输出电容器
- 缓冲的低噪声10毫安VREF输出
- 精度为± 20毫伏的VREF和VTT
- 支援高Z的S3和软关断的S4/S5
- 热关断
- 应用
- DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3存储器电源
- 萨里卫星技术有限公司- 2萨里卫星技术有限公司- 18和HSTL终止