说明

TPS28225与TPS28226的是N沟道免费与自适应死区时间控制驱动功率MOSFET高速驱动程序。 这些驱动程序优化，在高电流一相和多相直流到直流转换器的各种用途。 该TPS28225 / 6是一个解决方案，提供高效率，体积小，低EMI emmissions。

其性能达到达8.8 10V栅极驱动电压，14 ns的自适应死区时间控制，14 ns的传播延迟和高电流2 -阿源和4甲汇驱动功能。 0.4 - 针对较低栅极驱动阻抗可使功率MOSFET的栅极低于阈值，并确保在高dV / dT相位节点转换没有贯通电流。 自举电容器内部二极管充电允许N沟道MOSFET的使用半桥配置。

特性

• 驱动两个N沟道MOSFET的14 - ns的自适应死区时间
• 宽的栅驱动电压：4.5 V至8.8 V的最佳效率7 V到8伏特
• 宽电源系统列车输入电压：3 V至27 V
• 宽输入PWM信号：2.0 V至13.2 - V的振幅
• 能够驱动MOSFET 40每相电流和≥
• 高频率操作：14 ns的传播延迟
  10 ns上升/下降时间允许F _西南 - 2兆赫
• 能够传播“30 - ns的PWM脉冲输入
• 低侧驱动器接收器上的电阻（0.4 ）
  防止的dV / dt的相关直通电流
• 三态的关断PWM输入功率级
• 节省空间启用（输入）和电源良好（输出）相同的引脚上的信号
• 热关断
• UVLO保护
• 内置自举二极管
• 经济SOIC - 8和耐热增强型3毫米x 3毫米8引脚DFN封装
• 高普及三态输入驱动程序的性能更换
• 应用
  • 多相直流到直流转换器模拟或数字控制
  • 台式机和服务器Vrms和EVRDs
  • 便携式/笔记本电脑调节
  • 同步整流的隔离电源