产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRF610SPBF 3.3A,200V, 1.500 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(3.3A,200V, 1.500 Ohm,N沟道增强型功率MOS场效应管)10+VISHAYTO-263 删除
HAT1026R MOSFET, Switching; VDSS (V): -30; ID (A): -7; Pch : 2.5; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: 0.04; RDS (ON) typ. (ohm) @2.10+RENESASSOP-8 删除

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