产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IPS04N03LB N沟道场效应管 N-Channel MOSFETs (20V…250V); Package: PG-TO251-3; Package: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 3.4 mOhm; RDS (on) 10+INFINEONP-TO251-3 删除
IRF610STRR 3.3A,200V, 1.500 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(3.3A,200V, 1.500 Ohm,N沟道增强型功率MOS场效应管)10+VISHAYTO-263 删除

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