产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRF614 N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为2.0Ω，漏电流为2.8A）)10+VISHAYTO-220 删除
T491C106M035AT Cap Tant Solid 10uF 35V C CASE 20% (6 X 3.2 X 2.5mm) SMD 6032-28 1.6 Ohm 125C Automotive T/R16+KEMET Corporation6032 删除

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