产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRF624STRR N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为1.1Ω，漏电流为4.1A）)10+VISHAYTO-263 删除
TPC8117 东芝场效应晶体管硅P通道马鞍山型 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)10+TOSHIBASOP-8 删除

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