产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRF9Z24SPBF Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)10+IRTO-263 删除
IRF634SPBF N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)10+IRTO-263 删除

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