产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRF634SPBF N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)10+IRTO-263 删除
NCP1400ASN33T1G PWM方式控制,输出电流100mA,3.3V输出DC/DC升压器06+ONSOT23-5 删除

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