产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRF634NS N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)10+IRTO-220 删除
12063C105KAT2A Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:1uF; Capacitance Tolerance:+/- 10 %; Working Voltage, DC:25V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:1210+AVXSMD 删除

您的姓名：
公司名称：
地址：
电话：
电子邮件：
邮编：
备注：

  继续选择

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号