产品型号产品名称批号厂商封装数量 
TLV3012 采用 SOT23 封装具有电压参考的毫微瓦功耗 1.8V 推挽比较器07+TI6SC70, 6SOT-23 删除
NDT2955 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P沟道增强型场效应管（漏电流-2.5A, 漏源电压-60V，导通电阻0.3Ω）)10+ONSOT-223 删除

您的姓名：
公司名称：
地址：
电话：
电子邮件：
邮编：
备注：

  继续选择

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号