产品型号产品名称批号厂商封装数量 
PSMN057-200P N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 39 A; Qgd (typ): 37 nC; RDS(on): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V10+NXPSOT78/TO-220 删除
TLV2304 运算放大器 (2) + 集电极开路比较器 (2) 集成器件 IC08+TI14PDIP, 14SOIC, 14TSSOP 删除

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