产品型号产品名称批号厂商封装数量 
PH8230E N-沟道场效应晶体管 N-channel Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 67 A; RDS(on): 8.2@10V13@4.5V mOhm; VDSmax: 310+NXPSOT-669 删除
AD5620BCPZ-2500RL7 单通道、16位nanoDAC®，内置5 ppm/°C片内基准电压源15+ADI8 ld SOT-23 删除

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