产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IPS090N03L N沟道场效应管 N-Channel MOSFETs (20V…250V); Package: PG-TO251-3; Package: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 9.0 mOhm; RDS (on) 10+INFINEONTO-251 删除
TLE2062BM JFET 输入低功耗高驱动二路运算放大器08+TI8CDIP 删除

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