产品型号产品名称批号厂商封装数量 
PMV117EN 30 V uTrenchMOS增强场效应晶体管逻辑电平 micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 2.5 A; Qgd (typ): 1.35 nC; RDS(11+NXPSOT23-3 删除
PSMN057-200B N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 39 A; Qgd (typ): 37 nC; RDS(on): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V10+NXPTO-263 删除

您的姓名：
公司名称：
地址：
电话：
电子邮件：
邮编：
备注：

  继续选择

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号