产品型号产品名称批号厂商封装数量 
NDS355AN N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.7A，30V，0.125Ω）(N沟道逻辑增强型MOS场效应管（漏电流1.7A, 漏源电压30V，导通电阻0.125Ω）)2010+FAIRCHILDSOT-23-3 删除

您的姓名：
公司名称：
地址：
电话：
电子邮件：
邮编：
备注：

  继续选择

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号