产品型号产品名称批号厂商封装数量 
FDN5630 N沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管11+FAIRCHILDSOT23-3 删除
BSO119N03S N-Channel MOSFETs (20V…250V); Package: PG-DSO-8; Package: SO-8; VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 11.9 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 16.3 mOhm10+INFINEONSOP-8 删除

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