产品型号产品名称批号厂商封装数量 
IRFR014PBF N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为60V，导通电阻为0.14Ω，漏电流为8.2A）)10+IRTO-252 删除
6116SA25SOG8 SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM23+IDT (A RENESAS COMPANY)DIP 删除

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