产品型号产品名称批号厂商封装数量 
SI4442DY-T1-E3 MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:22A; On-Resistance, Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test V10+VISHAYSOP-8 删除
3365/26 Cable10+3M  删除

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