TLC220x TLC220xB,TLC220xA的,TLC220xY,经过精密,低噪声放大器使用德州仪器先进LinCMOS™的过程。这些设备的噪声性能相结合的lowest-noise JFET放大器与直流精度可在此之前,只有在双极功率放大器。先进的LinCMOS™过程中耗费的silicon-gate技术获取输入偏置电压稳定性随温度和时间,可使用metal-gate远远超过技术。此外,该技术使可能的输入阻抗满足甚至超过top-gate水平提供dielectric-isolated JFET和昂贵的设备。
直流和相结合的噪声性能优良的共模输入电压与范围,包括负轨使这些设备的理想选择signal-conditioning器件转至去高阻抗和低水平可以在单电源或split-supply应用配置。