TI的通用运算放大器系列的新双极金属氧化物半导体的首批成员是TLC08x。在双极金属氧化物半导体家庭观念很简单：提供一个的BiFET用户谁正在从双电源客场单电源系统和要求更高的AC和DC性能升级路径。其性能评分从4.5 V至16 V在商用（0° C至70 ° C）和扩展的工业温度范围（-40 ° C至125 ° C）时，双极金属氧化物半导体适合一个范围广泛的音频，汽车，工业和仪器仪表应用。像熟悉的功能失调调零销，像采用MSOP将PowerPAD™封装和关断模式的新功能，能够在各种应用的性能更高的水平。
在TI的专利方法LBC3 BiCMOS工艺开发，新的双极金属氧化物半导体放大器结合了非常高的输入阻抗，低噪声CMOS具有高驱动双极输出级从而提供最佳的性能特点的同时，前端。
特性
宽的带宽。 。 。 10兆赫
高输出驱动
的IOH。 。 。 57毫安在VDD-1.5 V
人工晶体。 。 。在0.5 V时为55 mA
高转换率
简+。 。 。 16 V /μs的
的SR -。 。 。 19 V /μs的
宽电压范围内。 。 。 4.5 V至16 V
电源电流。 。 。一点九毫安/通道
超低功耗关断模式的国际直拨电话。 。 。 125微安/通道
低输入噪声电压。 。 。 8.5纳伏/赫兹\
输入失调电压。 。 。 60μV的
超小型封装
8或10引脚MSOP（TLC080/1/2/3）