TI的通用运算放大器系列的新双极金属氧化物半导体的首批成员是TLC07x。 在双极金属氧化物半导体家庭观念很简单：提供一个的BiFET用户谁正在远离双电源单电源系统和要求更高的AC和DC性能升级路径。 其性能评分从4.5 V至16 V在商用（0 ° C至70 ° C）和扩展的工业温度范围（-40 ° C至125 ° C）时，双极金属氧化物半导体适合的音频，汽车，工业和仪器仪表广泛申请。 熟悉的功能，如调零偏置引脚能够在各种应用的性能更高的水平。
在TI的专利方法LBC3 BiCMOS工艺开发，新的双极金属氧化物半导体放大器结合了非常高的输入阻抗低噪声CMOS前端具有高驱动双极输出级，从而使这两个最佳的性能特点。 在TL07x的BiFET前人的AC性能的改进包括10兆赫带宽（300％的增长）和7电压噪声内华达州/ 赫兹 （一期60％的改善）。 直流改进包括减少4个因素中输入失调电压下降到1.5毫伏（最大）的标准等级，以及一个电源供应抑制大于40分贝改善至130分贝。 加入这个令人印象深刻的功能列表的能力，使它们从一个超小占位面积采用MSOP将PowerPAD™封装，它的位置，作为理想的高性能通用运算放大器系列TLC07x ± 50 mA的负载舒适。
特性