特点
说明
LM5110双门驱动器取代了行业标准的栅极驱动器改进的峰值输出电流和效率。 每个“复合型”输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行,一起下沉超过5A容性负载峰。 MOS和双极型器件相结合的独特特征,降低驱动电压和温度的电流变化。 单独的输入和输出的接地引脚提供负的驱动能力,允许用户与正面和负面的VGS电压驱动MOSFET栅极。 栅极驱动器控制输入被引用到一个专门的输入地(IN_REF)。 栅极驱动器输出摆幅从V CC输出地V EE可到IN_REF负。 能够容纳负的VGS电压MOSFET栅极驾驶门槛低电压MOSFET常常用来作为同步整流器时,减少损失。 与传统的正向栅极电压行驶时,IN_REF和V EE引脚连接在一起,并引用一个共同点。 还提供了欠压闭锁保护和关断输入引脚。 司机可以在输入和输出连接到双驱动电流能力的同时操作。 这器件采用SOIC - 8及热增强LLP - 10封装。
应用