特点
说明
DS25BR100芯片及DS25BR101都是单通道的3.125 Gbps的LVDS缓冲器高速信号传输优化有损FR - 4印刷电路板的背板和平衡的金属电缆。 全差分信号路径,确保优异的信号完整性和抗噪声能力。
DS25BR100芯片与DS25BR101功能传输预加重(PE)和接收均衡(EQ),使他们作为中继器使用的理想选择。 其他类似的IO特性的LVDS器件包括以下产品。 DS25BR120功能优化的驱动装置使用四个级别的预加重,而DS25BR110功能作为优化的接收设备使用的四个层次的均衡。 DS25BR150是一个缓冲器/中继器与最低的功耗和功能不传输预加重,也不接收均衡。
宽输入共模范围可以接受LVDS,CML和LVPECL电平信号的接收器的输出电平为LVDS。 一个非常小的封装尺寸要求在黑板上最小的空间,而流过的引脚允许电路板的设计工作变得更为容易。 DS25BR100芯片的差分输入和输出是内部终止与一个100Ω的电阻,以便降低回波损耗,减少元件数量,并进一步减少电路板空间。 为了增加设计的灵活性上DS25BR101的100Ω输入端子已经被淘汰。 这使设计定制的互连的拓扑结构和布局调整的终止。
应用