OPA835和OPA2835采用业界领先的BiCom-3x工艺制 造锗硅互补双极型(轨至轨输出),是单通道和双通道超低功耗,负轨输入电压反馈运算放大器,2.5V,专为在,的单电源电压范围和±1.25V至5.5V 至2.75V±的双电源电压范围内运作而设计并具有70MHz 250μA。这些放大器每个通道的电流消耗仅为,从而为轨至轨放大器设定了一个居业界领先水平的功耗-性能比,的单位增益带宽。
对 于将功耗作为关键性的重要指标的电池供电型便携式应用而言和OPA2835的低功耗及高频性能为设计人员提供了采用其他器件所无法获得的性 能,OPA835。再加上可将电流减小至功耗比< 1μA /的节能模式,这些器件为电池供电型应用中的高频放大器提供了一款极具吸引力的解决方案。
OPA835和OPA2835 OPA835单通道器件提供了下列封装选项:DBV:SOT23-6(10),和具有集成型增益电阻器的引脚跑。OPA2835双通道器件:SOIC-8(D),MSOP-10(DGS)和10引脚跑。
OPA835(< 1μA跑封装选项包括断电≈和集成型增益设定电阻器,以在印刷电路板上占用尽可能小的面积)2毫米(PCB)。通过在x 2毫米,可以实现上增设电路走线+ 1,- 1,每升1级+ 2,+ 4,,3 - 4,+ 5 - 7,+ 8和若干其他非整数值的增益以及衰减,绝对值容差以内。片上电阻器的阻值被精确地修整至,因而可使用外部电阻器以实现更大的灵活性1%。
该器件针对125℃至- 40℃扩展工业温度范围内的运作进行了特性分析。
特性
- 超低功耗
- 2.5V至5.5V源电压:
- 1mA静态电流:
- 0.5µA电源掉电模式:
- 69MHz带宽:
- 转换速率160V /μs:
- 上升时间10ns(2VSTEP):
- 稳定时间45ns(2VSTEP):
- 195ns过驱动恢复时间:
- 信噪比:在时为0.00015%赫兹(1VRMS)(-116.5dBc)
- 在1VRMS官:0.00003%赫兹)时为((-130dBc)
- :在HD3 1MHz HD2 /时为-70dBc(2Vpp / -73dBc)
- 输入电压噪声:9.3nV /√赫兹(f =达100kHz)
- 输入失调电压500μV 100μV(最大值为):
- 116dB从而:
- 40mA输出驱动电流:
- 轨至轨输出RRO——
- -0.2V至3.9V输入电压范围:电源(5V)
- 工作温度范围+ 125℃至:- 40℃