Flash存储起解够概述

    理想的存储器应具有密度高、读写快，价位低和不挥发的特点，而传统的存储器只能满足这些要求中的一部分。闪速存储器Flash的推出，恰好同时实现了所有这些优良的存储特性。

        Flash是一种高密度、真正不挥发的高性能读写存储器，兼有功耗低、可靠性高等特点。1、固有不挥发性：不像SRAM，Flash无需后备电源来保证数据不变；不同于DRAM，Flash不需要使用数据存储技术来为它提供后备存储。

      1、  易更新性：相对于EPROM的紫外线檫除工艺，Flash的店檫除功能为开发者节省了时间，也为用户更内容提供了可能。而与EEPROM相比较，Flash的成本更底，密度和可开性更高。

    根据工艺Flash主要有两类：NAND  Flash和NOP Flash。NOP Flash是在EEPROM的基础上发展起来的，它的存储单元由N-MOS构成，而连接N-MOS单元的线都是独立的。NOR Flash的特点是可以随机读取任意单元的内容，适合于程序代码的并行读/写存储，所以常用于制作PC的BIOS存储器和单片机内部存储器等。而NAND Flash将几个N-MOS单元用一跟线连接，可以按顺序读取存储单元的内容，适合数据或文件的串行读/写存储。

       在单片机内部集成Flash，并不是Freescale首创的技术。Microchip的PIC系列和Atmel的AT89C51系列等单片机早已引入篇内Flash技术。与ROM或EPROM相比，早期这类单片机的片内Flash在可靠性和稳定性上仍存在着许多不足。Freescale在Flash技术已相当成熟时才推出集成片内Flash的8位单片机，在应用方便和可靠性上均有不俗的表现，具体体现在：

        1、单一电源电压供应。一般Flash在只读情况下，只需要用户为其提供普通的工作电压。如果用户对Flash编程，则需同时提供高出正常工作电压的编程电压。通过在片内集成电荷泵，只需要用户提供单－+ 5V工作电压，便可以在片内产生编程电压。这使得用户无需因为对Flash编程而在目标板上增加额外的电源。

        2、可靠性高，片内Flash上存储的书库可以保持10年以上，可檫写次数也在1万次以上。

        3、檫写速度快。片内Flash的整体檫除时间可以控制在5ms以内，对单字节的编程时间也在40us以内。

最重要的是，Freescale片内Flash支持在线编程，允许单片机内部运行的程序去改写Flash存储内容，这一技术大大增加了Freescale单片机的应用范围和使用的方便性。