InSb光敏电阻

InSb光敏电阻是3-5um光谱范围内的主要探测器件之一。InSb光敏电阻由单晶材料制备，制造工艺比较成熟经过切片、磨片、抛光后的单晶材料，再采购用腐蚀的方法减薄到所需要的厚度便制成单晶InSb光敏电阻。光敏面的尺寸由0.5mm×0.5mm到8mm×8mm不等。大光敏面的器件由于不能做得那么薄，其探测率较低。InSb材料不仅适用永制造单元探测器件，也适宜制造陈列红外探测器件。b光敏电阻。光敏面的尺寸由0.5mm×0.5mm到8mm×8mm不等。大光敏面的器件由于不能做得那么薄其探测率较低。InSb材料不仅适用永制造单元探测器件，也适宜制造陈列红外探测器件。