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芯片世界观 | 明年NOR闪存大缺货?美光:这下赚大了

作者:管理员 来源:本站 浏览数:224 发布时间:2016/12/1 10:20:05
  • 除了DRAM和NAND之外,美光科技还制造NOR闪存,并拥有20%的市场份额。
  • 美光科技在NAND的短缺和DRAM价格的上涨中受益匪浅。
  • 有人预测,2017年可能会出现NOR的短缺,美光凭借先进的NOR技术,应该会进一步提升市场份额。

 

美光科技制造包括DRAM、NAND和NOR闪存在内的广泛的高性能存储器。表1显示了该公司2012财年至2016财年这三种类型内存的收入。

 

 

DRAM

根据该公司的10-K文件显示,美光的DRAM业务营收在过去两年连续出现下降,根据上表,2016年下降了30.1%,2015年下降了7.4%。

 

“2016年和2015年的产量和成本下降受到了公司产品从25nm工艺到20nm转换的过程中设备被迫停机的限制,以及转向更高组合的DDR4产品(具有更大的管芯尺寸和晶片位数)的影响。

 

2016财年,尽管DRAM产品GBits产量增长了7%,但平均销售价格却下降了35%。

 

随着PC市场的企稳,对DRAM的需求也在增加。我在最近的一篇文章中提到了这一点。

 

“随着DRAM价格的上涨,美光的股价也开始同步上升 - 股价从5月13日的9.56美元低点上升至 11月16日的19.18美元(100%的涨幅) 。DDR3 4GB 512x8的价格从5月的1.47美元低点涨到11月16日的2.45美元(67%的涨幅)。

 

NAND

NAND的收入2016年下降了12.0%,2015年增长了18.3%。而GBits产量2016年增长了8%,2015年增长了45%。2016年的GBits产量受到设备停机时间的限制,影响因素包括到3D NAND Flash技术的转换。

 

我在第二季度发表的文章中讨论了“NAND闪存不久将出现短缺 - 什么导致了短缺以及会带来哪些影响”,预测短缺将发生在接下来的两个季度,即年底这段时间。

 

DRAMeXchange在5个月后证实了我的观点-“随着供应短缺,NAND Flash价格将在第四季度出现上涨。”

 

NOR

得益于即将到来的短缺,美光科技将凭借在NOR闪存市场上的独特地位进一步提升NOR业务的营收。来自台湾的一家主要NOR闪存供应商Micronix的董事会主席兼首席执行官Miin Wu表示:

“目前,各种终端设备都存在对NOR闪存存储器的强劲需求。过去,对嵌入式存储器的结构化使用限制了NOR存储器的容量,但现在控制器功能的增强和向插入式存储器的转换都显着增加了对NOR存储器的需求。”

 

根据IHS数据,Macronix在2015年全球NOR闪存市场上的占有率为21.4%,取代了美光的第二名位置。2015年,全球NOR闪存市场营收同比下降了15%,降至19.77亿美元。

 

 

随着NAND开始取代NOR型产品, NOR闪存市场规模在2006年达到80亿美元的收入后,从2007年开始下滑。 NOR的单元尺寸是NAND的两倍,后者具有更高效的架构,在每个给定的管芯尺寸上都能实现更高的密度。NOR单元较长的写入和擦除时间使得它在NAND支持的高容量存储应用中找不到用武之地。另外,NOR比NAND贵,限制了它在代码存储和低端嵌入式设备上的使用。

 

NOR有两种类型-并行和串行,根据美光科技的官方网站,美光同时拥有这两种技术:

“串行NOR闪存具备在整个存储器阵列中高速连续读取的能力,加上可擦除块的尺寸较小,使得它很适合于存储程序代码和/或存储粒度数据的应用。串行NOR闪存的低引脚数和小封装使得它非常适合PC、超薄笔记本、服务器、机顶盒(STB)、打印机、蓝光驱动器/播放器、调制解调器/路由器、可穿戴设备和硬盘驱动器(HDD)等应用。”

 

并行NOR闪存可提供快速的系统启动时间和高速、低延迟的XIP操作,使其成为需要“即时”性能的数码相机(DSC和DSLR)以及如网络路由器/交换机、家庭网关和STB等过程密集型应用的理想选择。

 

随着NOR闪存芯片价格的上涨导致供应短缺,美光在这些众多应用中的收入将会增加。

 

为了进一步获得收入和市场份额,美光推出了一种称为XTRMFlash内存的新型NOR闪存,它结合了串行NOR闪存和并行NOR闪存的优势,使系统设计人员不必在高性能和低引脚数之间进行两难的选择。除了最大的NAND闪存阵列之外,美光的XTRMFlash的性能优于所有其他闪存类型,而且大型NAND对于实时即时应用来说太慢了,如下图所示。

 

 

这里的关键词是“即时”,汽车、工业和消费者市场都存在这种需求,比如人机界面、图形用户界面(GUI)、仪表盘、信息娱乐系统和高级驾驶员辅助系统等应用。

 

根据美光的说法,

“它的持续读取能力为400MB / 秒,使得整个1Gb XTRMFlash器件的读取时间仅为0.3秒。借助于XTRMFlash存储器的直接执行就绪(XIP)操作能力和低引脚数接口,可以节省宝贵的电路板空间,同时消除了代码映射的需求。“

 

美光在NOR领域的竞争对手之一赛普拉斯半导体与Spansion合并之后继承了其NOR技术和HyperFlash,这种类型的存储器能实现高达333 MBps的带宽,比普通Quad SPI Flash快五倍以上 - 同时,其引脚数量为并行NOR闪存的三分之一。

 

赛普拉斯也正在发力存在“即时”需求的市场,它认识到:

“汽车仪表板将需要更高的内存密度和更快的性能。数据吞吐能力变得越来越重要,以便迅速加载在仪表盘或导航系统中能够发现的那种丰富的图形。”

 

赛普拉斯采用的方法与美光不同,而且更昂贵。它认识到NOR闪存无法满足高密度要求,而NAND闪存缺乏汽车仪表盘等应用所缺乏的随机访问读取能力 - 所以把两者结合起来,何乐而不为呢?

 

要点

由于全球笔记本电脑市场的需求强于预期,使得美光的股价受益于DRAM价格的上涨,另外,由于向20nm工艺的转移在短期内降低了产量,减少了供应,从而加剧了供应短缺。

 

同时,由于智能手机和SSD行业的需求增加,第四季度NAND闪存的供应短缺局面将会加剧。

 

由于DRAM和NAND的供应短缺,美光的股价从5月13日的9.56美元低点升至11月25日收盘时的19.81美元(100%的涨幅)。另外,由于预期NOR也将面临短缺,美光的股价将再次获得上涨动能。

 

NOR的潜在短缺将迅速将XTRMFlash存储器推向台前,它是需要即时访问和快速响应时间的汽车和物联网应用的理想选择,与传统NOR相比,它能更快速地抢占市场份额。汽车和物联网应用是两个内存增长最快的市场。使用XTRMFlash存储器,系统设计人员不再需要在并行NOR的高性能和串行NOR的较低占用面积之间进行两难选择了。